石墨烯分散制備置裝中石墨烯是如何制備的？
點擊次數(shù)：1484 更新時間：2021-04-19
石墨烯分散制備置裝，石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一個碳原子厚度的二維材料。石墨烯目前是世上最堅硬的納米材料，幾乎*透明，只吸收2.3%的光；導熱系數(shù)高達5300W/m，高于碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000cm2/Vs，又比納米碳管或硅晶體高，而電阻率只約10-8Ω/m，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料。石墨烯具有優(yōu)異的導電性、導熱性和力學強度，其和EP復(fù)配后制成的復(fù)合材料可充分發(fā)揮兩者的優(yōu)勢，表現(xiàn)為復(fù)合材料的導熱性、電磁性、拉伸強度和模量等顯著提高。
石墨烯分散制備置裝，石墨烯是如何制備的？主要有以下幾種：
1.機械剝離法優(yōu)點：制備成本非常低(幾乎可忽略)，易于學習，且此法得到的石墨烯質(zhì)量非常好好，缺陷少，性能優(yōu)異缺點：得到的石墨烯尺寸很小，一般在10-100um之間，而且*不可能大規(guī)模制備。
2.SiC外延生長優(yōu)點：能較大尺寸生長(報道的有4寸大小的)，且得到的石墨烯性能優(yōu)異缺點：原料成本較高，設(shè)備成本也很高，生長溫度很高(1400°)，一般設(shè)備達不到，而且也很難生長太大尺寸的石墨烯。
3.氧化石墨還原法優(yōu)點：方法較簡單，原料成本不高，基本沒有設(shè)備成本，且易于規(guī)模制備缺點：此法得到的石墨烯缺陷非常多，電學、力學性能都較差。
4.CVD，化學氣相沉積法優(yōu)點：單次生長尺寸可以很大(將近20寸)，有可能規(guī)?；a(chǎn)，且生長得到的石墨烯性能很好缺陷少缺點：轉(zhuǎn)移是難題，而且生長出來的一般都是多晶。
