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石墨烯分散制備置裝中石墨烯是如何制備的?
點擊次數(shù):1900 更新時間:2021-04-19
  石墨烯分散制備置裝中石墨烯是如何制備的?
  石墨烯分散制備置裝,石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一個碳原子厚度的二維材料。石墨烯目前是世上最堅硬的納米材料,幾乎*透明,只吸收2.3%的光;導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m,高于碳納米管和金剛石,常溫下其電子遷移率超過15000cm2/Vs,又比納米碳管或硅晶體高,而電阻率只約10-8Ω/m,比銅或銀更低,為世上電阻率最小的材料。石墨烯具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和力學(xué)強度,其和EP復(fù)配后制成的復(fù)合材料可充分發(fā)揮兩者的優(yōu)勢,表現(xiàn)為復(fù)合材料的導(dǎo)熱性、電磁性、拉伸強度和模量等顯著提高。
  石墨烯分散制備置裝,石墨烯是如何制備的?主要有以下幾種:
  1.機械剝離法優(yōu)點:制備成本非常低(幾乎可忽略),易于學(xué)習(xí),且此法得到的石墨烯質(zhì)量非常好好,缺陷少,性能優(yōu)異缺點:得到的石墨烯尺寸很小,一般在10-100um之間,而且*不可能大規(guī)模制備。
  2.SiC外延生長優(yōu)點:能較大尺寸生長(報道的有4寸大小的),且得到的石墨烯性能優(yōu)異缺點:原料成本較高,設(shè)備成本也很高,生長溫度很高(1400°),一般設(shè)備達(dá)不到,而且也很難生長太大尺寸的石墨烯。
  3.氧化石墨還原法優(yōu)點:方法較簡單,原料成本不高,基本沒有設(shè)備成本,且易于規(guī)模制備缺點:此法得到的石墨烯缺陷非常多,電學(xué)、力學(xué)性能都較差。
  4.CVD,化學(xué)氣相沉積法優(yōu)點:單次生長尺寸可以很大(將近20寸),有可能規(guī)?;a(chǎn),且生長得到的石墨烯性能很好缺陷少缺點:轉(zhuǎn)移是難題,而且生長出來的一般都是多晶。

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